技术特点

火焰水解法制备高纯度合成石英

在洁净厂房内，将高规格四氯化硅（SiCl₄）在氢氧焰中水解生成亚微米二氧化硅（SiO₂）颗粒，一个或者

多个用于反应地喷灯将亚微米颗粒堆积成柱状粉末体（soot），精确的火焰温度控制和掺杂工艺实现柱体

径向合轴向均匀的密度分布合预订的折射率分布。

粉末体在氯气（Cl2）合氦气（He）的加热炉内被充分脱水除杂，然后烧结成高纯度透明玻璃预制棒。

气相轴向沉积工艺制备芯棒            

 轴向生长粉末体，烧结时无中心缩合孔，具备四大工艺中最低的羟基含量，可制备零水峰光纤；

氟掺杂工艺，降低芯层二氧化锗含量, 具备更低的本征损耗

自主知识产权多喷灯技术，丰富折射率剖面设计，可制备G652，G657以及G655系列光纤。

外部气相沉积工艺制备包层

高沉积速率，大尺寸。

延伸技术

 实现预制棒芯棒芯，包层直径的精确控制，光纤几何，光学指标同一性更好。

产品种类

 具有满足G. 652 D,G657A1, G657A2 以及G655拉丝生产的光纤预制棒系列。

关键技术指标

具有不同平均外径和有效长度的光纤预制棒，平均外径从90～200mm, 有效长度从1000mm到3000mm；

光纤产品指标达到并优于ITU-T标准；

VAD芯棒技术使光纤在1383nm基本无附加吸收，达到零水峰光纤制作要求。